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| Numéro d'article | SQ3457EV-T1_GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 5W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 6-TSOP |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SQ3456BEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP | - | 18000 | Détails |
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SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP | - | 242847 | Détails |