SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
SIZ328DT-T1-GE3 P1
SIZ328DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ328DT-T1-GE3

Numéro d'article
SIZ328DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SIZ328DT-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SIZ328DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Puissance - Max 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power33 (3x3)

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