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| Numéro d'article | SIUD402ED-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.25W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 0806 |
| Paquet / cas | PowerPAK® 0806 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIUD401ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806 | - | 620853 | Détails |
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SIUD402ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806 | - | 755710 | Détails |
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SIUD406ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806 | - | 603115 | Détails |