Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | SI8819EDB-T2-E1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 6V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 900mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Paquet / cas | 4-XFBGA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | - | 0 | Détails |
 |
SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 3000 | Détails |
 |
SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | Détails |
 |
SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | Détails |
|
SI8819EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | - | 510346 | Détails |