SI1072X-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V SC89
SI1072X-T1-GE3 P1
SI1072X-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1072X-T1-GE3

Numéro d'article
SI1072X-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 30V SC89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI1072X-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SI1072X-T1-GE3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93 mOhm @ 1.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SC-89-6
Paquet / cas SOT-563, SOT-666

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