TPH3207WS

GAN FET 650V 50A TO247
TPH3207WS P1
TPH3207WS P1
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Transphorm ~ TPH3207WS

Numéro d'article
TPH3207WS
Fabricant
Transphorm
La description
GAN FET 650V 50A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TPH3207WS
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.65V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2197pF @ 400V
Vgs (Max) ±18V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 32A, 8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247
Paquet / cas TO-247-3

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