STPSC8H065DLF

SILICON CARBIDE DIODES
STPSC8H065DLF P1
STPSC8H065DLF P1
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STMicroelectronics ~ STPSC8H065DLF

Numéro d'article
STPSC8H065DLF
Fabricant
STMicroelectronics
La description
SILICON CARBIDE DIODES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article STPSC8H065DLF
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Courant - Rectifié moyen (Io) 8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.55V @ 8A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 80µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 460pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 175°C

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