STD5NM50AG

POWER TRANSISTORS
STD5NM50AG P1
STD5NM50AG P1
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STMicroelectronics ~ STD5NM50AG

Numéro d'article
STD5NM50AG
Fabricant
STMicroelectronics
La description
POWER TRANSISTORS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STD5NM50AG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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