STD13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD13NM60N P1
STD13NM60N P2
STD13NM60N P1
STD13NM60N P2
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STMicroelectronics ~ STD13NM60N

Numéro d'article
STD13NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STD13NM60N
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-Pak
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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