Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | RN142ZS12ATE61 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | PIN - 6 Independent |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 30V |
| Courant - Max | 50mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
| Résistance @ Si, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Paquet / cas | 12-XFDFN |
| Package de périphérique fournisseur | HMD12 (2.4x0.8) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Détails |
 |
RN142GT2R | Rohm Semiconductor | PIN DIODE 60V 100MA VMD2 | - | 0 | Détails |
 |
RN142STE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR | - | 0 | Détails |
 |
RN142VTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V UMD | 0 | Détails | |
 |
RN142ZS12ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12 | - | 0 | Détails |
 |
RN142ZS8ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8 | - | 0 | Détails |