EMF21T2R

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
EMF21T2R P1
EMF21T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EMF21T2R

Numéro d'article
EMF21T2R
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article EMF21T2R
État de la pièce Not For New Designs
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 12V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 260MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur EMT6

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