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| Numéro d'article | NVMFSW6D1N08HT1G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 89A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 40V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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NVMFSW6D1N08HT1G | ON Semiconductor | T8 80V 1 PART PROLIFERATI | - | 88543 | Détails |