NTMFD4C86NT3G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
NTMFD4C86NT3G P1
NTMFD4C86NT3G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFD4C86NT3G

Numéro d'article
NTMFD4C86NT3G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTMFD4C86NT3G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTMFD4C86NT3G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
Puissance - Max 1.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (5x6)

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