NTJD2152PT4G

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
NTJD2152PT4G P1
NTJD2152PT4G P1
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ON Semiconductor ~ NTJD2152PT4G

Numéro d'article
NTJD2152PT4G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTJD2152PT4G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTJD2152PT4G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V
Puissance - Max 270mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363

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