NCV51511PDR2G

HIGH SIDE AND LOW SIDE GA
NCV51511PDR2G P1
NCV51511PDR2G P1
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ON Semiconductor ~ NCV51511PDR2G

Numéro d'article
NCV51511PDR2G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
HIGH SIDE AND LOW SIDE GA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article NCV51511PDR2G
État de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side or Low-Side
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 8V ~ 16V
Tension logique - VIL, VIH 2V, 1.8V
Courant - sortie de crête (source, évier) 3A, 6A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 100V
Rise / Fall Time (Typ) 6ns, 4ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC-EP

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