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| Numéro d'article | MVDF2C03HDR2G |
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| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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MVDF2C03HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | - | 0 | Détails |