ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ECH8690-TL-H P1
ECH8690-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8690-TL-H

Numéro d'article
ECH8690-TL-H
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ECH8690-TL-H PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ECH8690-TL-H
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur 8-ECH

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