ECH8651R-TL-HX

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
ECH8651R-TL-HX P1
ECH8651R-TL-HX P1
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ON Semiconductor ~ ECH8651R-TL-HX

Numéro d'article
ECH8651R-TL-HX
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ECH8651R-TL-HX PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ECH8651R-TL-HX
État de la pièce Last Time Buy
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 24V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur 8-ECH

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