AFGB40T65SQDN

650V/40A FS4 IGBT TO263 A
AFGB40T65SQDN P1
AFGB40T65SQDN P1
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ON Semiconductor ~ AFGB40T65SQDN

Numéro d'article
AFGB40T65SQDN
Fabricant
ON Semiconductor
La description
650V/40A FS4 IGBT TO263 A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AFGB40T65SQDN PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article AFGB40T65SQDN
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Puissance - Max 238W
Échange d'énergie 858µJ (on), 229µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 76nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17.6ns/75.2ns
Condition de test 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 131ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D2PAK-3 (TO-263)

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