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| Numéro d'article | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | - |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Drain de courant (Id) - Max | 10mA |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Résistance - RDS (On) | 200 Ohm |
| Puissance - Max | 200mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package de périphérique fournisseur | 3-CP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | 0 | Détails | |
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2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET NCH 30V 200MW 3CP | - | 3000 | Détails |
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2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | - | 12000 | Détails |
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2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.2W CP | 0 | Détails | |
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2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Détails | |
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2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Détails | |
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2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Détails | |
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2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Détails | |
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2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Détails |