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| Numéro d'article | 2N5457G |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | 25V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
| Drain de courant (Id) - Max | - |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 500mV @ 10nA |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Résistance - RDS (On) | - |
| Puissance - Max | 310mW |
| Température de fonctionnement | 135°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Package de périphérique fournisseur | TO-92-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Détails |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Détails |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Détails |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Détails |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Détails |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Détails |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Détails |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Détails |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Détails |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Détails |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Détails |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Détails |