PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
PMPB12UN,115 P1
PMPB12UN,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMPB12UN,115

Numéro d'article
PMPB12UN,115
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PMPB12UN,115
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad

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