A3T19H455W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A3T19H455W23SR6 P1
A3T19H455W23SR6 P1
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NXP USA Inc. ~ A3T19H455W23SR6

Numéro d'article
A3T19H455W23SR6
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A3T19H455W23SR6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A3T19H455W23SR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.93GHz ~ 1.99GHz
Gain 16.4dB
Tension - Test 30V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 540mA
Puissance - Sortie 81W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas ACP-1230S-4L2S
Package de périphérique fournisseur ACP-1230S-4L2S

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