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| Numéro d'article | 2N5551,116 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | NPN |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Puissance - Max | 630mW |
| Fréquence - Transition | 300MHz |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Package de périphérique fournisseur | TO-92-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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2N5545JTX01 | Vishay Siliconix | JFET N-CH 50V TO-71 | - | 0 | Détails |
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