APT1001R1BN

MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
APT1001R1BN P1
APT1001R1BN P1
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Microsemi Corporation ~ APT1001R1BN

Numéro d'article
APT1001R1BN
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT1001R1BN
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247AD
Paquet / cas TO-247-3

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