1517-110M

TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
1517-110M P1
1517-110M P1
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Microsemi Corporation ~ 1517-110M

Numéro d'article
1517-110M
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 1517-110M PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article 1517-110M
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 70V
Fréquence - Transition 1.48GHz ~ 1.65GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 7.3dB ~ 8.6dB
Puissance - Max 350W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 9A
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas 55AW-1
Package de périphérique fournisseur 55AW-1

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