MT47H128M4CB-5E:B TR

IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT47H128M4CB-5E:B TR P1
MT47H128M4CB-5E:B TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT47H128M4CB-5E:B TR

Numéro d'article
MT47H128M4CB-5E:B TR
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article MT47H128M4CB-5E:B TR
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR2
Taille mémoire 512Mb (128M x 4)
Fréquence d'horloge 200MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 600ps
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 60-FBGA
Package de périphérique fournisseur 60-FBGA

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