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| Numéro d'article | IXDN602SIATR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Low-Side |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 2 |
| Type de porte | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 35 V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 2A, 2A |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IXDN402PI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP | - | 0 | Détails |
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IXDN402SI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
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IXDN409SIA | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | - | 0 | Détails |
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IXDN409YI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | - | 0 | Détails |