IX2120B

1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
IX2120B P1
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IX2120B P3
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IX2120B

Numéro d'article
IX2120B
Fabricant
IXYS Integrated Circuits Division
La description
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IX2120B
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 15 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 1200V
Rise / Fall Time (Typ) 9.4ns, 9.7ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur 28-SOIC

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