IXYP10N65C3D1M

IGBT
IXYP10N65C3D1M P1
IXYP10N65C3D1M P1
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IXYS ~ IXYP10N65C3D1M

Numéro d'article
IXYP10N65C3D1M
Fabricant
IXYS
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXYP10N65C3D1M PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXYP10N65C3D1M
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 15A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A
Puissance - Max 53W
Échange d'énergie 240µJ (on), 170µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 18nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20ns/77ns
Condition de test 400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 26ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package de périphérique fournisseur TO-220 Isolated Tab

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