IR2011SPBF

HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
IR2011SPBF P1
IR2011SPBF P1
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Infineon Technologies ~ IR2011SPBF

Numéro d'article
IR2011SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IR2011SPBF
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.7V, 2.2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 1A, 1A
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 35ns, 20ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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