FS75R12KE3GBOSA1

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
FS75R12KE3GBOSA1 P1
FS75R12KE3GBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FS75R12KE3GBOSA1

Numéro d'article
FS75R12KE3GBOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FS75R12KE3GBOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FS75R12KE3GBOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 355W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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