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| Numéro d'article | BCR112WE6327BTSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Résistance - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 4.7k |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | 140MHz |
| Puissance - Max | 250mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SC-70, SOT-323 |
| Package de périphérique fournisseur | PG-SOT323-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 | - | 36000 | Détails |
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BCR112WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 | - | 0 | Détails |
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BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 | - | 0 | Détails |