GSID150A120S6A4

SILICON IGBT MODULES
GSID150A120S6A4 P1
GSID150A120S6A4 P1
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Global Power Technologies Group ~ GSID150A120S6A4

Numéro d'article
GSID150A120S6A4
Fabricant
Global Power Technologies Group
La description
SILICON IGBT MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article GSID150A120S6A4
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 275A
Puissance - Max 1035W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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