GP2M009A090FG

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
GP2M009A090FG P1
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Global Power Technologies Group ~ GP2M009A090FG

Numéro d'article
GP2M009A090FG
Fabricant
Global Power Technologies Group
La description
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article GP2M009A090FG
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220F
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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