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| Numéro d'article | GP2M004A065PG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 642pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 98.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | I-Pak |
| Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 0 | Détails | |
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GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | 0 | Détails | |
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GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 | 0 | Détails | |
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GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | 0 | Détails | |
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GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | 0 | Détails | |
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GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | 0 | Détails | |
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GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 | 0 | Détails | |
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GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | 0 | Détails | |
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GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 0 | Détails | |
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GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F | 0 | Détails | |
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GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | 0 | Détails | |
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GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | 3396 | Détails |