GCMS007A120S7B1

SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
GCMS007A120S7B1 P1
GCMS007A120S7B1 P1
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Global Power Technologies Group ~ GCMS007A120S7B1

Numéro d'article
GCMS007A120S7B1
Fabricant
Global Power Technologies Group
La description
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Modules de circuit d'attaque de puissance
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Numéro d'article GCMS007A120S7B1
État de la pièce Active
Type MOSFET
Configuration Half Bridge
Actuel 360A
Tension 1200V
Voltage - Isolation 2500Vrms
Paquet / cas Power Module

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