S6BR

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
S6BR P1
S6BR P1
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GeneSiC Semiconductor ~ S6BR

Numéro d'article
S6BR
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article S6BR
État de la pièce Active
Type de diode Standard, Reverse Polarity
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 6A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 6A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AA, DO-4, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-4
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C

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