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| Numéro d'article | GA05JT01-46 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | - |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 5A |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-46 |
| Paquet / cas | TO-46-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 100V 9A | 89 | Détails | |
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GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 300V 9A | 64 | Détails | |
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GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 5A | 0 | Détails | |
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GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 15A | 1156 | Détails |