1N1186

DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
1N1186 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ 1N1186

Numéro d'article
1N1186
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1N1186
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 35A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.2V @ 35A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AB, DO-5, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-5
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 190°C

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