MB85R256FPFCN-G-BNDE1

IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 P1
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Fujitsu Electronics America, Inc. ~ MB85R256FPFCN-G-BNDE1

Numéro d'article
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fabricant
Fujitsu Electronics America, Inc.
La description
IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article MB85R256FPFCN-G-BNDE1
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FRAM
La technologie FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 150ns
Temps d'accès 150ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Package de périphérique fournisseur 28-TSOP I

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