HUFA76413DK8T_F085

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
HUFA76413DK8T_F085 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUFA76413DK8T_F085

Numéro d'article
HUFA76413DK8T_F085
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article HUFA76413DK8T_F085
État de la pièce Not For New Designs
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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