FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
FDT434P P1
FDT434P P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDT434P

Numéro d'article
FDT434P
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDT434P
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1187pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223-4
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA

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