FDC5612

MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
FDC5612 P1
FDC5612 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC5612

Numéro d'article
FDC5612
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDC5612
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-6
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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