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| Numéro d'article | GB0800004 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | MHz Crystal |
| La fréquence | 8MHz |
| Stabilité de fréquence | ±30ppm |
| Tolérance de fréquence | ±30ppm |
| Capacité de charge | 30pF |
| ESR (résistance série équivalente) | 80 Ohm |
| Mode de fonctionnement | Fundamental |
| Température de fonctionnement | -10°C ~ 70°C |
| Évaluations | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | HC49/US |
| Taille / Dimension | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.138" (3.50mm) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | 0 | Détails | |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 0 | Détails | |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | 0 | Détails | |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 1853 | Détails | |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | 0 | Détails | |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 45 | Détails | |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 176 | Détails | |
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GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 54 | Détails | |
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GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | - | 0 | Détails |
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GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | 0 | Détails | |
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | 2692 | Détails | |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | 0 | Détails |