DMT10H015LFG-7

MOSFET N-CH 100V 10A
DMT10H015LFG-7 P1
DMT10H015LFG-7 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Diodes Incorporated ~ DMT10H015LFG-7

Numéro d'article
DMT10H015LFG-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 100V 10A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMT10H015LFG-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article DMT10H015LFG-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 42A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / cas 8-PowerWDFN

Produits connexes

Tous les produits