DMN601WKQ-13

MOSFET NCH 60V SOT323
DMN601WKQ-13 P1
DMN601WKQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN601WKQ-13

Numéro d'article
DMN601WKQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET NCH 60V SOT323
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN601WKQ-13 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article DMN601WKQ-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-323
Paquet / cas SC-70, SOT-323

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