DMN2005DLP4K-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
DMN2005DLP4K-7 P1
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DMN2005DLP4K-7 P3
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Diodes Incorporated ~ DMN2005DLP4K-7

Numéro d'article
DMN2005DLP4K-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN2005DLP4K-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN2005DLP4K-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 400mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur X2-DFN1310-6

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