VN3205N3-G-P002

MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
VN3205N3-G-P002 P1
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Microchip Technology ~ VN3205N3-G-P002

Numéro d'article
VN3205N3-G-P002
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article VN3205N3-G-P002
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.2A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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