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BOM

AON7200_101

MOSFET N-CH DFN
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › AON7200_101
AON7200_101 P1
AON7200_101 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON7200_101

Numéro d'article
AON7200_101
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET N-CH DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AON7200_101 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AON7200_101
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15.8A (Ta), 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-DFN-EP (3x3)
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad

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